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Datasheet下载- 型号： ZVNL110GTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVNL110GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVNL110GTA价格参考。Diodes Inc.ZVNL110GTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 600mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223。您可以下载ZVNL110GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVNL110GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZVNL110GTA是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种低电压、低功耗的电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 ZVNL110GTA常用于电源管理系统中，特别是在需要高效开关和低导通电阻的应用中。例如，它可以用作负载开关，控制电路中的电流流动，确保电源的安全性和稳定性。由于其低导通电阻（Rds(on)），在电池供电设备中可以有效减少能量损耗，延长电池寿命。 2. 消费电子产品 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，ZVNL110GTA被广泛用于电源管理模块、充电电路和背光驱动电路。它的低导通电阻和小封装尺寸使其非常适合这些对空间和功耗要求较高的应用。 3. LED驱动 ZVNL110GTA可用于LED驱动电路中，作为开关元件控制LED的亮度或开关状态。它能够快速响应PWM信号，实现精确的亮度调节，同时保持较低的功耗和发热。 4. 电机控制 在小型直流电机控制中，ZVNL110GTA可以用作驱动器，通过控制栅极电压来调节电机的速度和方向。其低导通电阻有助于提高效率，减少热量产生，适用于玩具、智能家居设备等领域的电机驱动。 5. 音频放大器 ZVNL110GTA还可以用于音频放大器中的开关或保护电路。它可以在音频信号路径中提供快速的开关功能，或者用于过流保护，防止放大器因过载而损坏。 6. 通信设备 在无线通信设备如蓝牙模块、Wi-Fi路由器等中，ZVNL110GTA可以用于电源管理、天线切换和其他控制功能。它的低电容和快速开关特性有助于提高通信系统的性能和可靠性。 7. 便携式医疗设备 在便携式医疗设备如血糖仪、血压计等中，ZVNL110GTA可以用于电源管理和传感器接口电路。它的小封装和低功耗特性使其非常适合这些对精度和续航时间有较高要求的应用。 总的来说，ZVNL110GTA凭借其低导通电阻、小封装尺寸和优异的开关特性，成为众多低电压、低功耗应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223MOSFET N-Chnl 100V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 600 mA |
| Id-连续漏极电流 | 600 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVNL110GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVNL110GTA |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 75pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZVNL110G |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 600mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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