ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZVN4525E6TA
Datasheet下载- 型号： ZVN4525E6TA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4525E6TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4525E6TA价格参考。Diodes Inc.ZVN4525E6TA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 250V 230mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6。您可以下载ZVN4525E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN4525E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZVN4525E6TA是一款N沟道增强型MOSFET，其应用场景非常广泛，尤其适用于需要高效、低功耗和高可靠性的电路设计。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理： - ZVN4525E6TA常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中。它具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗，提高转换效率。此外，其快速开关特性有助于降低开关损耗，提升整体性能。 2. 负载切换： - 在电池管理系统（BMS）和其他负载切换应用中，ZVN4525E6TA可以作为高效的开关元件，控制电流的通断。其低导通电阻确保了在大电流下仍能保持较低的电压降，从而减少发热。 3. 电机驱动： - 该MOSFET适合用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机等。它可以提供足够的驱动能力，同时保持较低的功耗，延长电池寿命。 4. 信号调理与保护： - 在信号调理电路中，ZVN4525E6TA可以用作电平转换或隔离元件。它还可以用于过流保护和短路保护电路，通过快速响应异常情况来保护系统免受损坏。 5. 消费电子设备： - 这款MOSFET常见于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中。它的小封装尺寸（SOT-23）使其非常适合空间受限的应用，同时其低功耗特性有助于延长设备的续航时间。 6. 工业自动化： - 在工业控制系统中，ZVN4525E6TA可用于各种传感器接口、执行器驱动以及通信模块中的信号处理。它的高可靠性保证了长时间稳定运行。 7. 汽车电子： - 对于汽车电子系统，如车载充电器、LED照明控制等，ZVN4525E6TA同样表现出色。它能够承受较高的工作温度范围，并且具备良好的抗干扰能力。 总之，ZVN4525E6TA凭借其优异的电气性能和紧凑的封装结构，在众多领域都有广泛应用，特别是在对效率和可靠性要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6MOSFET N-Chnl 250V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 230 mA |
| Id-连续漏极电流 | 230 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4525E6TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN4525E6TA |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
| 上升时间 | 1.7 ns |
| 下降时间 | 1.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 72pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 其它名称 | ZVN4525E6CT |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 11.4 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-23-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 230mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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