ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZVN4306GTA
Datasheet下载- 型号： ZVN4306GTA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4306GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4306GTA价格参考。Diodes Inc.ZVN4306GTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 2.1A（Ta） 3W（Ta） SOT-223。您可以下载ZVN4306GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN4306GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated生产的ZVN4306GTA是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要用于低电压和低功率的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： - ZVN4306GTA适用于各种电源管理电路，如DC-DC转换器、线性稳压器等。它可以在这些电路中用作开关元件，帮助实现高效的电源转换和电压调节。 2. 负载开关： - 该器件常用于负载开关应用中，用于控制电流的通断。例如，在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中，ZVN4306GTA可以作为负载开关来管理不同模块的供电，以节省功耗并延长电池寿命。 3. 电机驱动： - 在小型电机驱动应用中，ZVN4306GTA可以用作驱动信号的开关元件。它能够快速响应控制信号，从而精确控制电机的启停和速度。 4. 信号切换： - ZVN4306GTA可用于模拟和数字信号的切换电路中，特别是在需要低导通电阻和快速开关速度的情况下。例如，在音频设备中，它可以用于切换不同的输入源或输出路径。 5. 保护电路： - 该器件还适用于过流保护和短路保护电路。通过检测电流的变化，ZVN4306GTA可以在异常情况下迅速切断电流路径，防止损坏其他电路组件。 6. 消费电子： - ZVN4306GTA广泛应用于消费电子产品中，如智能手表、可穿戴设备、智能家居设备等。它的低导通电阻和小封装尺寸使其非常适合这些对空间和功耗有严格要求的产品。 7. 工业控制： - 在工业自动化领域，ZVN4306GTA可以用于传感器接口、继电器驱动等场合，提供可靠的开关功能和保护机制。 总之，ZVN4306GTA凭借其优异的电气性能和紧凑的封装，成为众多低电压、低功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223MOSFET N-Chnl 60V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.1 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4306GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN4306GTA |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 330 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZVN4306G |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.1A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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