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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3MOSFET N-Chnl 100V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 450 mA |
Id-连续漏极电流 | 450 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4210A- |
数据手册 | |
产品型号 | ZVN4210A |
Pd-PowerDissipation | 700 mW |
Pd-功率耗散 | 700 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 8 ns |
下降时间 | 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 100pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 1.5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它图纸 | |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | 散装 |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 1.8 Ohms |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
封装/箱体 | TO-92-3 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 450 mA |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 450mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |