ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZVN3310FTA
Datasheet下载- 型号： ZVN3310FTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN3310FTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN3310FTA价格参考。Diodes Inc.ZVN3310FTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 100mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载ZVN3310FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN3310FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZVN3310FTA是一款N沟道增强型MOSFET，其应用场景广泛，尤其适用于需要低电压驱动和高效能转换的场合。以下是该型号的主要应用场景： 1. 便携式电子设备：ZVN3310FTA因其低导通电阻（Rds(on)）和低栅极电荷特性，非常适合用于便携式设备中的电源管理电路。例如，在智能手机、平板电脑、可穿戴设备等产品中，它可以用作负载开关或DC-DC转换器中的功率开关，以实现高效的电源管理和延长电池寿命。 2. 消费电子产品：在各种消费电子产品中，如电视、音响系统、智能家居设备等，ZVN3310FTA可以用于音频放大器的保护电路、背光驱动电路以及USB端口的过流保护。它能够提供快速的响应时间和稳定的电流控制，确保设备的安全性和可靠性。 3. 工业控制与自动化：在工业应用中，ZVN3310FTA可用于电机驱动、传感器接口和信号调理电路。它的高耐压能力和快速切换速度使其能够在恶劣环境下稳定工作，同时减少电磁干扰（EMI），提高系统的整体性能。 4. 汽车电子：尽管ZVN3310FTA并非专门针对汽车级应用设计，但在一些非关键性的车载电子模块中，如车灯控制、空调系统、娱乐系统等方面仍然可以找到它的身影。它具备良好的抗噪能力，并且能够在较宽的工作温度范围内保持稳定。 5. 通信设备：在网络路由器、交换机和其他通信基础设施中，ZVN3310FTA可用于电源调节、信号隔离及短路保护等功能。它的低损耗特性和紧凑封装有助于减小电路板尺寸，提升集成度。 总之，ZVN3310FTA凭借其优异的电气参数和可靠的性能表现，成为众多领域内不可或缺的关键元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3MOSFET N-Chnl 100 V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN3310FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN3310FTA |
| Pd-PowerDissipation | 330 mW |
| Pd-功率耗散 | 330 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 40pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | BST82 |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 4 ns |
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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