ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > ZTX853
Datasheet下载- 型号： ZTX853
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZTX853由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZTX853价格参考。Diodes Inc.ZTX853封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 4A 130MHz 1.2W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）。您可以下载ZTX853参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZTX853 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZTX853是一款双极晶体管（BJT），属于单个晶体管类别。它广泛应用于多种电子设备和电路中，主要因其出色的开关特性和放大性能而被选用。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理：ZTX853可用于线性稳压器、开关电源等电源管理电路中，作为电流调节或电压控制元件。其低饱和电压和高电流增益特性使其在这些应用中表现出色。 2. 信号放大：在音频放大器、传感器信号调理等需要对微弱信号进行放大的场合，ZTX853可以提供稳定的增益，确保信号不失真地传输。它适合用于前置放大器、驱动级等位置。 3. 开关应用：由于具备快速响应能力和良好的开关特性，ZTX853常被用作开关器件，例如在继电器驱动、LED驱动、电机控制等领域。它可以高效地控制负载的通断状态。 4. 保护电路：在过流保护、短路保护等安全机制中，ZTX853能够及时检测异常情况并切断电流路径，防止下游组件受损。其耐高压和大电流的能力增加了系统的可靠性。 5. 通信设备：对于无线通信模块中的射频前端部分，ZTX853可以用作混频器、振荡器等关键部件的构建单元，支持高频信号处理。 6. 消费电子产品：如手机充电器、平板电脑适配器、智能家居控制器等小型化产品内部，ZTX853凭借紧凑的封装形式和优异的电气参数成为理想选择。 总之，ZTX853凭借其可靠的性能和多样的功能，在众多领域都有广泛的应用前景。无论是工业控制还是民用消费类电子产品，都能找到它的身影。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 100V 4A MED E-LINE两极晶体管 - BJT NPN Medium Power |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZTX853- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZTX853 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 400mA，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 2A，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | E-Line（TO-92 兼容） |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | E-Line-3 |
| 封装/箱体 | TO-92 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 100 at 10 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 2 V, 100 at 2 A at 2 V, 50 at 4 A at 2 V, 20 at 10 A at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 160 mV |
| 集电极连续电流 | 4 A |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
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