ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > ZTX851
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZTX851由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZTX851价格参考。Diodes Inc.ZTX851封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 5A 130MHz 1.2W 通孔 E-Line(TO-92 兼容)。您可以下载ZTX851参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZTX851 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZTX851是一款双极晶体管(BJT),适用于多种应用场景。以下是其主要应用领域: 1. 电源管理 ZTX851常用于电源管理电路中,特别是在开关电源和线性稳压器中。它能够有效地控制电流的开关和调节,确保电源系统的稳定性和效率。由于其低饱和电压和高增益特性,ZTX851在这些应用中表现出色,能够在较低功耗下提供稳定的输出。 2. 音频放大 在音频设备中,ZTX851可以作为音频信号的放大元件,用于前置放大器或功率放大器的驱动级。它的高增益特性使得它能够在较小的输入信号下产生较大的输出信号,从而提高音频信号的质量和音量。此外,ZTX851的低噪声特性也有助于减少音频信号中的杂音,提升听觉体验。 3. 电机驱动 ZTX851还可以用于小型电机的驱动电路中,尤其是在需要精确控制电流和电压的应用场景中。例如,在步进电机、直流电机等小型电机的驱动电路中,ZTX851可以作为开关元件,通过控制电流的通断来实现电机的启动、停止和调速功能。 4. 继电器驱动 在继电器控制电路中,ZTX851可以用作驱动继电器线圈的开关元件。通过控制ZTX851的基极电流,可以实现对继电器的开闭控制。由于ZTX851具有较高的电流增益,它能够在较低的控制电流下驱动较大的继电器线圈电流,从而简化了电路设计并提高了可靠性。 5. 传感器接口 ZTX851还可以用于传感器接口电路中,特别是那些需要将微弱的模拟信号放大的场合。例如,在温度传感器、压力传感器等模拟信号采集系统中,ZTX851可以作为信号放大器,将传感器输出的微弱信号放大到适合后续处理的电平范围。 6. 通信设备 在一些通信设备中,ZTX851可以用作射频(RF)信号的放大元件,尤其是在低频段的无线通信系统中。它能够有效地放大射频信号,确保信号的传输距离和质量。 总的来说,ZTX851凭借其低饱和电压、高增益和良好的热稳定性等特点,广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高效电流控制和信号放大的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 60V 5000MA E-LINE两极晶体管 - BJT NPN Big Chip SELine |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZTX851- |
数据手册 | |
产品型号 | ZTX851 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 200mA,5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 2A,1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | E-Line(TO-92 兼容) |
功率-最大值 | 1.2W |
包装 | 散装 |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 130 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | E-Line-3 |
封装/箱体 | TO-92 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 1.2 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 100 at 10 mA at 1 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 2 A at 1 V, 75 at 5 A at 1 V, 25 at 10 A at 1 V |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
集电极—基极电压VCBO | 150 V |
集电极—射极饱和电压 | 180 mV |
集电极连续电流 | 5 A |
频率-跃迁 | 130MHz |