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  • 型号: ZTX751STZ
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZTX751STZ由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZTX751STZ价格参考。Diodes Inc.ZTX751STZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZTX751STZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZTX751STZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR PNP MED PWR E-LINE两极晶体管 - BJT PNP Super E-Line

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZTX751STZ-

数据手册

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产品型号

ZTX751STZ

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

-

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

E-Line(TO-92 兼容)

其它名称

ZTX751STZ-ND

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

140 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

E-Line-3,成型引线

封装/箱体

TO-92

工厂包装数量

2000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

1 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,000

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流电流增益hFE最大值

70 at 50 mA at 2 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

70 at 50 mA at 2 V, 100 at 500 mA at 2 V, 80 at 1 A at 2 V, 40 at 2 A at 2 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 60 V

集电极—基极电压VCBO

- 80 V

集电极连续电流

- 2 A

频率-跃迁

140MHz

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