【晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列_ZDT6790TA】封装/厂家_ZDT6790TA中文资料_价格

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型号： ZDT6790TA
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ZDT6790TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZDT6790TA价格参考￥询价-￥询价。Diodes Inc.ZDT6790TA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V, 40V 2A 150MHz, 100MHz 2.75W Surface Mount SM8。您可以下载ZDT6790TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZDT6790TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated的ZDT6790TA是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列，广泛应用于多种电子设备和电路设计中。该型号具有高集成度、低功耗和高可靠性等特点，适用于需要多个双极晶体管协同工作的应用场景。

 主要应用场景：

1. 电源管理：
   ZDT6790TA可用于电源管理电路中，特别是在低压差线性稳压器（LDO）和开关模式电源（SMPS）中。它能够提供高效的电流控制和电压调节功能，确保系统在不同负载条件下稳定运行。

2. 信号放大与处理：
   该晶体管阵列适用于音频放大器、射频（RF）放大器和其他模拟信号处理电路。其低噪声特性和高增益使得它在要求高保真度和低失真的应用中表现出色。

3. 电机驱动与控制：
   在小型电机驱动和控制系统中，ZDT6790TA可以用于驱动步进电机、直流电机等。通过精确控制电流，它可以实现平稳的电机启动、停止和调速，适用于智能家居、消费电子和工业自动化等领域。

4. 保护电路：
   ZDT6790TA可用于过流保护、短路保护和热保护电路中。其快速响应时间和高耐压特性使其能够在异常情况下迅速切断电流，保护下游电路免受损坏。

5. 接口电路：
   在各种接口电路中，如USB、RS-232等，ZDT6790TA可以用于电平转换和信号缓冲，确保数据传输的稳定性和完整性。

6. 消费电子产品：
   该器件常用于智能手机、平板电脑、智能手表等便携式设备中，提供高效的小信号处理和电源管理功能，延长电池寿命并提高性能。

7. 汽车电子：
   在汽车电子系统中，ZDT6790TA可用于车身控制模块（BCM）、车灯控制、雨刷控制等场景，确保车辆电气系统的可靠性和安全性。

总之，ZDT6790TA凭借其优异的性能和广泛的适用性，在各类电子设备和系统中发挥着重要作用，尤其适合对空间、功耗和性能有较高要求的应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS NPN/PNP 45V/40V 2A 8SM两极晶体管 - BJT NPN/PNP HighG 40V
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体
品牌	Diodes Incorporated
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZDT6790TA-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	ZDT6790TA
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	500mV @ 5mA，1A / 750mV @ 50mA，2A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	400 @ 1A，2V / 300 @ 10mA，2V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	SM8
其它名称	ZDT6790 ZDT6790CT
其它图纸
功率-最大值	2.75W
包装	剪切带（CT）
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	Diodes Incorporated
增益带宽产品fT	150 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SOT-223-8
封装/箱体	SM-8
工厂包装数量	1000
晶体管极性	NPN/PNP
晶体管类型	NPN，PNP
最大功率耗散	2.75 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	2 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	45V，40V
电流-集电极(Ic)（最大值）	2A
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	500
直流集电极/BaseGainhfeMin	500 at 100 mA at 2 V at NPN, 400 at 1 A at 2 V at NPN, 150 at 2 A at 2 V at NPN, 300 at 10 mA at 2 V at PNP, 250 at 500 mA at 2 V at PNP, 200 at 1 A at 2 V at PNP, 150 at 2 A at 2 V at PNP
配置	Dual
集电极—发射极最大电压VCEO	45 V, 40 V
集电极—基极电压VCBO	45 V, 50 V
集电极—射极饱和电压	500 mV
集电极连续电流	2 A
频率-跃迁	150MHz，100MHz

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