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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3双向可控硅 800 V 1 A TO92 |
产品分类 | 双向可控硅分离式半导体 |
GateTriggerCurrent-Igt | 10 mA |
GateTriggerVoltage-Vgt | 1.3 V |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体闸流管,双向可控硅,NXP Semiconductors Z0109NA0,412- |
数据手册 | |
产品型号 | Z0109NA0,412 |
三端双向可控硅类型 | 逻辑 - 灵敏栅极 |
产品种类 | 双向可控硅 |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
保持电流Ih最大值 | 10 mA |
关闭状态漏泄电流(在VDRMIDRM下) | 800 V |
其它名称 | 934065051412 |
包装 | 散装 |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
封装/箱体 | TO-92-3 |
工厂包装数量 | 5000 |
开启状态RMS电流-ItRMS | 1 A |
栅极触发电压-Vgt | 1.3 V |
栅极触发电流-Igt | 10 mA |
标准包装 | 1,000 |
电压-断态 | 800V |
电压-栅极触发(Vgt)(最大值) | 1.3V |
电流-不重复浪涌50、60Hz(Itsm) | 12.5A,13.8A |
电流-保持(Ih)(最大值) | 10mA |
电流-栅极触发(Igt)(最大值) | 10mA |
电流-通态(It(RMS))(最大值) | 1A |
配置 | 单一 |
额定重复关闭状态电压VDRM | 800 V |