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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VS-FB190SA10由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VS-FB190SA10价格参考。VishayVS-FB190SA10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 底座安装 N 沟道 100V 190A 568W(Tc) SOT-227。您可以下载VS-FB190SA10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VS-FB190SA10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 190A SOT227MOSFET 190 Amp 100 Volt |
产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 190 A |
Id-连续漏极电流 | 190 A |
品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix VS-FB190SA10- |
数据手册 | |
产品型号 | VS-FB190SA10VS-FB190SA10 |
Pd-PowerDissipation | 568 W |
Pd-功率耗散 | 568 W |
Qg-GateCharge | 250 nC |
Qg-栅极电荷 | 250 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.4 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5.4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 351 ns |
下降时间 | 335 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.35V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 250nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 180A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-227 |
其它名称 | FB190SA10 |
功率-最大值 | 568W |
功率耗散 | 568 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 底座安装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 5.4 mOhms |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
封装/箱体 | SOT-227-4 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 250 nC |
标准包装 | 160 |
正向跨导-最小值 | 93 S |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 190 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 190A |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 20 V |