数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VS-FB180SA10P由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VS-FB180SA10P价格参考。VishayVS-FB180SA10P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VS-FB180SA10P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VS-FB180SA10P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
ChannelMode | Enhancement |
Id-ContinuousDrainCurrent | 180 A |
Id-连续漏极电流 | 180 A |
品牌 | Vishay Semiconductors |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET N-Chan 100V 180 Amp |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay Semiconductors VS-FB180SA10P |
产品型号 | VS-FB180SA10P |
Pd-PowerDissipation | 480 W |
Pd-功率耗散 | 480 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 6.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
上升时间 | 351 ns |
下降时间 | 335 ns |
产品种类 | Single-Gate MOSFET Transistors |
典型关闭延迟时间 | 181 ns |
功率耗散 | 480 W |
商标 | Vishay Semiconductors |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 6.5 mOhms |
封装 | Tube |
封装/箱体 | SOT-227-4 |
工厂包装数量 | 10 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 180 A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Source |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |