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Datasheet下载- 型号： VS-30CPQ100PBF
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VS-30CPQ100PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VS-30CPQ100PBF价格参考。VishayVS-30CPQ100PBF封装/规格：二极管 - 整流器 - 阵列， Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 15A Through Hole TO-247-3。您可以下载VS-30CPQ100PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VS-30CPQ100PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VS-30CPQ100PBF 是一款由 Vishay 公司生产的功率 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体型号为 SiHF30N100E，采用 PQFN 封装。这款器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。 应用场景 1. 工业电源： - 在工业应用中，VS-30CPQ100PBF 可用于开关电源（SMPS）的设计。其高击穿电压（1000V）使其能够承受高压环境，适合用于需要高效转换的工业电源系统。 2. 电机驱动： - 该器件可用于直流无刷电机（BLDC）和其他类型的电机驱动电路中。其快速开关特性和低导通电阻有助于减少功率损耗，提高电机效率，特别是在频繁启停或调速的应用中表现优异。 3. 太阳能逆变器： - 在太阳能发电系统中，MOSFET 是逆变器的关键组件之一。VS-30CPQ100PBF 的高耐压能力和快速开关特性使其非常适合用于光伏逆变器中的 DC-AC 转换电路，确保系统的稳定性和高效性。 4. 不间断电源（UPS）： - 不间断电源系统要求在市电中断时迅速切换到电池供电模式。VS-30CPQ100PBF 的快速响应时间和低导通电阻有助于实现这一目标，同时减少能量损耗，延长电池寿命。 5. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）： - 在电动汽车和混合动力汽车的车载充电器、DC-DC 转换器以及牵引逆变器中，VS-30CPQ100PBF 可以发挥重要作用。其高可靠性和耐高温特性使得它能够在严苛的车载环境中稳定工作。 6. 焊接设备： - 焊接设备通常需要高电流和高电压的精确控制。VS-30CPQ100PBF 的高耐压和低导通电阻特性使其成为焊接控制器的理想选择，确保焊接过程的稳定性和一致性。 7. 其他应用： - 除了上述应用场景，VS-30CPQ100PBF 还可以应用于各种需要高效功率转换的场合，如通信基站电源、医疗设备电源等。 总之，VS-30CPQ100PBF 凭借其卓越的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高效能、高可靠性的高压应用场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO247AC肖特基二极管与整流器 30 Amp 100 Volt Common Cathode |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors VS-30CPQ100PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VS-30CPQ100PBF |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 860mV @ 15A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 550µA @ 100V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 其它名称 | *30CPQ100PBF |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247AC |
| 峰值反向电压 | 100 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 550 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 920 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向电压下降 | 1.05 V |
| 正向连续电流 | 30 A |
| 热阻 | 0.24°C/W Cs |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 100V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 15A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Dual Common Cathode |
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