ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列 > VS-12CWQ03FNPBF
Datasheet下载- 型号： VS-12CWQ03FNPBF
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VS-12CWQ03FNPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VS-12CWQ03FNPBF价格参考。VishayVS-12CWQ03FNPBF封装/规格：二极管 - 整流器 - 阵列， Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30V 6A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63。您可以下载VS-12CWQ03FNPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VS-12CWQ03FNPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 生产的 VS-12CWQ03FNPBF 是一款二极管整流器阵列，具有多种应用场景。该器件属于肖特基二极管阵列，具备低正向电压降和快速恢复时间的特点，使其非常适合用于需要高效能和高速开关的应用场合。 主要应用场景： 1. 电源管理： - 直流电源转换：VS-12CWQ03FNPBF 适用于各种直流电源转换电路中，如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低正向电压降有助于提高电源转换效率，减少能量损耗。 - 电池充电保护：在便携式设备的电池管理系统中，该二极管阵列可以防止电池过充或反向电流，确保电池的安全和寿命。 2. 通信设备： - 信号隔离与保护：在通信模块中，VS-12CWQ03FNPBF 可以用于信号路径中的隔离和保护，防止静电放电（ESD）和其他瞬态电压对敏感电路造成损害。 - 高频信号处理：由于其快速恢复特性，该器件适合用于高频信号处理电路，如射频（RF）前端模块，能够有效减少信号失真和干扰。 3. 汽车电子： - 车载电源系统：在汽车电子系统中，该二极管阵列可用于车载电源系统的整流和稳压，确保车内电气设备的稳定供电。 - 逆变器和电机驱动：在电动汽车和混合动力汽车的逆变器和电机驱动电路中，VS-12CWQ03FNPBF 的高效整流性能可以提升系统的整体效率，延长续航里程。 4. 工业控制： - 电机控制与驱动：在工业自动化领域，该二极管阵列常用于电机控制和驱动电路中，提供高效的整流功能，同时减少功率损耗。 - 传感器接口：在工业传感器接口电路中，VS-12CWQ03FNPBF 可以用于信号调理和保护，确保传感器数据的准确性和可靠性。 总之，VS-12CWQ03FNPBF 凭借其优异的性能和广泛的应用范围，成为许多高要求应用的理想选择，尤其是在需要高效整流和快速响应的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 6A DPAK肖特基二极管与整流器 12 Amp 30 Volt Common Cathode |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors VS-12CWQ03FNPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VS-12CWQ03FNPBFVS-12CWQ03FNPBF |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 470mV @ 6A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3mA @ 30V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | D-PAK （TO-252AA） |
| 其它名称 | 12CWQ03FNPBF |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK (TO-252AA) |
| 峰值反向电压 | 30 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 3000 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 320 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向电压下降 | 0.55 V |
| 正向连续电流 | 12 A |
| 热阻 | 1.5°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 30V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 6A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Dual Common Cathode |
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