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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VNS3NV04PTR-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VNS3NV04PTR-E价格参考。STMicroelectronicsVNS3NV04PTR-E封装/规格:PMIC - 配电开关,负载驱动器, 。您可以下载VNS3NV04PTR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VNS3NV04PTR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的型号VNS3NV04PTR-E属于PMIC(电源管理集成电路)中的配电开关和负载驱动器类别。该器件主要应用于需要高效电源管理和精确控制的电子系统中,以下是其典型应用场景: 1. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等便携式设备。这些设备需要高效的电源分配以延长电池寿命,并支持多种外设(如摄像头、显示屏等)的独立供电控制。 2. 工业自动化:在工业控制系统中用于管理传感器、执行器和其他外围设备的电源供应。它能够实现快速开关操作,确保每个模块仅在需要时才接通电源,从而降低整体功耗。 3. 通信设备:例如路由器、交换机及基站等网络基础设施。这类产品通常包含多个功能模块,通过使用VNS3NV04PTR-E可以灵活地控制各个模块的上电顺序与状态,提高系统的可靠性和效率。 4. 汽车电子:适用于车身控制模块(BCM)、信息娱乐系统以及高级驾驶辅助系统(ADAS)。它可以为不同负载提供隔离保护,并具备过流保护等功能,保障车辆电气系统的安全性。 5. 物联网(IoT)设备:包括智能家居设备、可穿戴设备等低功耗应用场合。由于其小型化设计和高集成度特性,非常适合于空间受限且对能耗敏感的应用环境。 总之,VNS3NV04PTR-E凭借其出色的性能参数(如低导通电阻、高耐压能力等),成为众多领域内电源管理的理想选择,帮助工程师构建更节能、更智能的电子产品。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC MOSFET OMNIFET II 8-SOIC门驱动器 OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V |
产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关集成电路 - IC |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,STMicroelectronics VNS3NV04PTR-EOMNIFET II™, VIPower™ |
数据手册 | |
产品型号 | VNS3NV04PTR-E |
RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
上升时间 | 250 ns |
下降时间 | 250 ns |
产品 | MOSFET Gate Drivers |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26261 |
产品种类 | 门驱动器 |
供应商器件封装 | 8-SO |
关闭 | Yes |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1965/CL1969/SC1038/PF241447?referrer=70071840 |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 120 毫欧 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工作温度 | -40°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 2500 |
最大关闭延迟时间 | 1350 ns |
最大功率耗散 | 8.3 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大开启延迟时间 | 300 ns |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 2,500 |
激励器数量 | 1 Driver |
电压-电源 | - |
电流-峰值输出 | 5A |
电流-输出/通道 | 3.5A |
电源电流 | 100 uA |
类型 | Autoprotected Power MOSFET |
系列 | VNS3NV04P-E |
输入类型 | 非反相 |
输出数 | 2 |
输出电流 | 5 A |
输出端数量 | 1 Output |
配置 | Non-Inverting |