图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： VNS1NV04PTR-E
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VNS1NV04PTR-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VNS1NV04PTR-E价格参考。STMicroelectronicsVNS1NV04PTR-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VNS1NV04PTR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VNS1NV04PTR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC门驱动器 OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关电源管理 IC |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 uA |
| Id-连续漏极电流 | 30 uA |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 门驱动器,STMicroelectronics VNS1NV04PTR-EOMNIFET II™， VIPower™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VNS1NV04PTR-E |
| Pd-PowerDissipation | 8.3 W |
| Pd-功率耗散 | 8.3 W |
| Qg-GateCharge | 5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 45 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 45 V |
| 上升时间 | 500 ns |
| 下降时间 | 600 ns |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26261 |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 497-11723-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1965/CL1969/SC1038/PF189192?referrer=70071840 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 250 毫欧 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 2 S |
| 电压-电源 | - |
| 电流-峰值输出 | 3.5A |
| 电流-输出/通道 | 1.7A |
| 电源电流 | 150 uA |
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | VNS1NV04P-E |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 1 |
| 输出电流 | - 3 A |
| 配置 | Single |
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