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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VNN3NV04PTR-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VNN3NV04PTR-E价格参考。STMicroelectronicsVNN3NV04PTR-E封装/规格:PMIC - 配电开关,负载驱动器, 。您可以下载VNN3NV04PTR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VNN3NV04PTR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC MOSFET N-CH 40V 3.5A SOT223门驱动器 OMNIFET III Low Side 120mOhm 3.5A 40V |
产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关集成电路 - IC |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,STMicroelectronics VNN3NV04PTR-EOMNIFET II™, VIPower™ |
数据手册 | |
产品型号 | VNN3NV04PTR-E |
上升时间 | 250 ns |
下降时间 | 250 ns |
产品 | MOSFET Gate Drivers |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26261 |
产品种类 | 门驱动器 |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | 497-13077-1 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1965/CL1969/SC1038/PF241447?referrer=70071840 |
功率耗散 | 7 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 120 毫欧 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223 |
工作温度 | -40°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 1000 |
最大关闭延迟时间 | 450 ns (Typ) |
最大功率耗散 | 35 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大开启延迟时间 | 90 ns (Typ) |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 1 |
激励器数量 | 1 Driver |
电压-电源 | - |
电流-峰值输出 | 5A |
电流-输出/通道 | 3.5A |
电源电压-最大 | 55 V |
电源电压-最小 | 2.5 V |
电源电流 | 100 uA |
类型 | Low-Side Non Inverting Driver |
系列 | VNN3NV04P-E |
负载电压 | 13 V |
输入类型 | 非反相 |
输出数 | 1 |
输出电流 | 3.5 A |
输出端数量 | 1 |
配置 | Low-Side |