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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VNB20N07-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VNB20N07-E价格参考¥8.63-¥18.37。STMicroelectronicsVNB20N07-E封装/规格:PMIC - 配电开关,负载驱动器, 。您可以下载VNB20N07-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VNB20N07-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的VNB20N07-E是一款PMIC(电源管理集成电路)中的配电开关和负载驱动器。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 消费电子设备:VNB20N07-E适用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等。它能够高效地管理电池供电系统中的电流分配,确保各个功能模块(如显示屏、处理器、摄像头等)获得稳定的电源供应。 2. 工业控制:在工业自动化领域,该器件可用于驱动小型电机、继电器或传感器。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高系统的整体效率。 3. 汽车电子:VNB20N07-E符合车规级要求,可应用于汽车电子系统中,例如车身控制模块(BCM)、信息娱乐系统以及LED照明控制等。它能够在复杂的汽车环境中提供可靠且精确的电源管理。 4. 通信设备:对于网络路由器、交换机以及其他通信基础设施,此芯片可以作为开关元件来保护电路免受过载或短路的影响,同时实现动态功耗优化。 5. 物联网(IoT)节点:在低功耗IoT应用中,该产品能有效延长电池寿命,并支持快速开启/关闭操作以适应不同的工作模式需求。 总之,VNB20N07-E凭借其高性能参数(如低导通电阻、高切换速度及良好的热稳定性),非常适合需要高效能电源管理的各种应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET OMNIFET 70V 20A D2PAKMOSFET N-Ch 70V 20A OmniFET |
产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics VNB20N07-EOMNIFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | VNB20N07-E |
Pd-PowerDissipation | 83 W |
Pd-功率耗散 | 83 W |
Qg-GateCharge | 60 nC |
Qg-栅极电荷 | 60 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 70 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 70 V |
上升时间 | 240 ns |
下降时间 | 150 ns |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26261 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1965/CL1969/SC1038/PF65628?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 430 ns |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 50 毫欧 |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工作温度 | - |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 17 S |
电压-电源 | - |
电流-峰值输出 | 20A |
电流-输出/通道 | - |
类型 | 低端 |
系列 | VNB20N07 |
输入类型 | 非反相 |
输出数 | 1 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |