Datasheet下载- 型号： VNB10N07
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VNB10N07由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VNB10N07价格参考。STMicroelectronicsVNB10N07封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VNB10N07参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VNB10N07 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | MOSFET POWER 70V 10A D2PAKMOSFET N-Ch 70V 10A OmniFET |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics VNB10N07OMNIFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VNB10N07 |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 70 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 70 V |
| 上升时间 | 80 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1965/CL1969/SC1038/PF65625?referrer=70071840 |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 330 mg |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 100 毫欧 |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-电源 | - |
| 电流-峰值输出 | 10A |
| 电流-输出/通道 | - |
| 类型 | 低端 |
| 系列 | VNB10N07 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 1 |
| 配置 | Single |
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