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  • 型号: VN2222LLG
  • 制造商: ON Semiconductor
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VN2222LLG产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VN2222LLG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VN2222LLG价格参考。ON SemiconductorVN2222LLG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 150mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3。您可以下载VN2222LLG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VN2222LLG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92MOSFET 60V 150mA N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

150 mA

Id-连续漏极电流

150 mA

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor VN2222LLG-

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产品型号

VN2222LLG

Pd-PowerDissipation

0.4 W

Pd-功率耗散

400 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

7.5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

7.5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

60pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.5 欧姆 @ 500mA,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

VN2222LLGOS

典型关闭延迟时间

10 ns

功率-最大值

400mW

功率耗散

0.4 W

包装

散装

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

7.5 Ohms

封装

Bulk

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

封装/箱体

TO-92-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

150 mA

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

150mA (Ta)

系列

VN2222LL

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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