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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VN10LFTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VN10LFTA价格参考。Diodes Inc.VN10LFTA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 150mA(Ta) 330mW(Ta) SOT-23-3。您可以下载VN10LFTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VN10LFTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3MOSFET N-Ch 60V 3A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 150 mA |
Id-连续漏极电流 | 150 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated VN10LFTA- |
数据手册 | |
产品型号 | VN10LFTA |
Pd-PowerDissipation | 330 mW |
Pd-功率耗散 | 330 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 欧姆 @ 500mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
其它名称 | VN10LFDKR |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 330mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 150mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |