ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > VN10LFTA
Datasheet下载- 型号： VN10LFTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VN10LFTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VN10LFTA价格参考。Diodes Inc.VN10LFTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 150mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载VN10LFTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VN10LFTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的VN10LFTA是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于低电压、低功耗的电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 便携式电子产品 VN10LFTA由于其低导通电阻（Rds(on)）和小封装尺寸，非常适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。它能够有效降低功耗，延长电池寿命，同时减少发热问题。 2. 电源管理 该MOSFET常用于电源管理电路中，如DC-DC转换器、线性稳压器、负载开关等。它的低导通电阻有助于提高效率，减少能量损耗，特别适用于需要高效能电源管理的应用场景。 3. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，VN10LFTA可以作为开关元件，控制电机的启动和停止。例如，在电动工具、玩具、风扇等设备中，它可以实现快速响应和精确控制，确保电机平稳运行。 4. 信号切换 VN10LFTA还可以用于信号切换电路中，尤其是在需要高频信号传输的场合。它能够快速切换信号路径，确保信号的完整性和稳定性，适用于通信设备、音频设备等。 5. 保护电路 该MOSFET可用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流大小并迅速切断电路，VN10LFTA可以有效防止因过载或短路导致的损坏，保护其他敏感元件。 6. 汽车电子 在汽车电子领域，VN10LFTA可用于车身控制系统中的各种低功率应用，如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制器等。它的可靠性和耐久性使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。 7. 消费类电子产品 在消费类电子产品中，如笔记本电脑、智能家居设备等，VN10LFTA可用于电源管理、信号切换等功能模块，提供高效、稳定的性能支持。 总之，VN10LFTA凭借其低导通电阻、小封装尺寸和高可靠性，成为多种低电压、低功耗应用的理想选择，广泛应用于便携式设备、电源管理、电机驱动等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3MOSFET N-Ch 60V 3A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 150 mA |
| Id-连续漏极电流 | 150 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated VN10LFTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VN10LFTA |
| Pd-PowerDissipation | 330 mW |
| Pd-功率耗散 | 330 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | VN10LFDKR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 150mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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