【晶体管 - FET，MOSFET - 射频_VMMK-1225-BLKG】封装/厂家_VMMK-1225-BLKG中文资料_价格

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型号： VMMK-1225-BLKG
制造商： Avago Technologies
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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VMMK-1225-BLKG产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供VMMK-1225-BLKG由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMMK-1225-BLKG价格参考。Avago TechnologiesVMMK-1225-BLKG封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet E-pHEMT 2V 20mA 12GHz 11dB 8dBm 402。您可以下载VMMK-1225-BLKG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VMMK-1225-BLKG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	AMP RFIC LNA E-PHEMT 25GHZ 0402射频JFET晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	50 mA
Id-连续漏极电流	50 mA
品牌	Avago Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies VMMK-1225-BLKG-
数据手册	http://www.avagotech.com/docs/AV02-1082EN
P1dB	8 dBm
产品型号	VMMK-1225-BLKG
Pd-PowerDissipation	250 mW
Pd-功率耗散	250 mW
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	5 V
Vds-漏源极击穿电压	5 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	- 5 V to 1 V
Vgs-栅源极击穿电压	- 5 V to 1 V
产品	RF JFET
产品种类	射频JFET晶体管
供应商器件封装	0402
其它名称	516-2215 VMMK-1225-BLKG-ND VMMK1225BLKG
功率-输出	8dBm
功率耗散	250 mW
包装	散装
商标	Avago Technologies
噪声系数	1 dB
增益	11 dB
安装风格	SMD/SMT
封装	Bulk
封装/外壳	0402（1005 公制）
封装/箱体	WLP 0402
工厂包装数量	100
技术	GaAs
晶体管类型	EpHEMT
最大工作温度	+ 150 C
标准包装	100
正向跨导-最小值	120 mS
漏极连续电流	50 mA
漏源电压VDS	5 V
电压-测试	2V
电压-额定	5V
电流-测试	20mA
类型	GaAs EpHEMT
闸/源击穿电压	- 5 V to 1 V
频率	12 GHz
额定电流	50mA