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Datasheet下载- 型号： VMMK-1218-BLKG
- 制造商： Avago Technologies
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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VMMK-1218-BLKG产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VMMK-1218-BLKG由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMMK-1218-BLKG价格参考。Avago TechnologiesVMMK-1218-BLKG封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet E-pHEMT 3V 20mA 10GHz 9dB 12dBm 402。您可以下载VMMK-1218-BLKG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VMMK-1218-BLKG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | AMP RFIC LNA E-PHEMT 18GHZ 0402射频JFET晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies VMMK-1218-BLKG- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1081EN |
| P1dB | 12 dBm |
| 产品型号 | VMMK-1218-BLKG |
| Pd-PowerDissipation | 300 mW |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 5 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 5 V to 1 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | 0402 |
| 其它名称 | 516-2214 |
| 功率-输出 | 12dBm |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数 | 0.81dB |
| 增益 | 9dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 0402（1005 公制） |
| 封装/箱体 | WLP 0402 |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管类型 | E-pHEMT |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向跨导-最小值 | 200 mS |
| 漏极连续电流 | 100 mA |
| 漏源电压VDS | 5 V |
| 电压-测试 | 3V |
| 电压-额定 | 5V |
| 电流-测试 | 20mA |
| 类型 | GaAs EpHEMT |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 频率 | 10GHz |
| 额定电流 | 100mA |
