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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VF20150S-E3/4W由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VF20150S-E3/4W价格参考。VishayVF20150S-E3/4W封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 通孔 二极管 150V 20A ITO-220AB。您可以下载VF20150S-E3/4W参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VF20150S-E3/4W 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 生产的 VF20150S-E3/4W 是一款单整流器二极管,主要用于需要高效、高可靠性的整流应用中。以下是该型号的具体应用场景: 1. 电源转换 VF20150S-E3/4W 常用于开关电源(SMPS)和直流-直流(DC-DC)转换器中。它能够将交流电(AC)转换为直流电(DC),并确保电流单向流动,防止反向电流对电路造成损害。其低正向电压降(Vf)特性有助于提高电源转换效率,减少能量损耗。 2. 逆变器 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,VF20150S-E3/4W 可以作为续流二极管使用。它能够在开关器件关断时提供一个路径,使电感中的电流继续流动,从而避免电压尖峰,保护电路中的其他元件。 3. 电机驱动 在电机驱动应用中,VF20150S-E3/4W 可以用于保护电路免受电机产生的反电动势的影响。它能够快速响应并导通,防止电压过冲对控制器或其他敏感元件造成损坏。 4. 电池充电 该二极管也适用于电池充电电路中,特别是在电动汽车(EV)或混合动力汽车(HEV)的电池管理系统中。它可以防止电池在充电过程中反向放电,并确保充电过程的安全性和稳定性。 5. 工业自动化 在工业自动化设备中,VF20150S-E3/4W 可以用于各种功率转换和保护电路。它的高可靠性使其能够在恶劣的工作环境中长期稳定运行,如高温、高湿度或振动较大的环境。 6. 通信设备 在通信基站和数据中心等设备中,VF20150S-E3/4W 可以用于电源模块中的整流和保护功能,确保电力供应的稳定性和可靠性,同时减少能耗。 总结 VF20150S-E3/4W 以其高效的整流性能、低功耗和高可靠性,广泛应用于电源转换、逆变器、电机驱动、电池充电、工业自动化和通信设备等领域。它特别适合需要高效能和高可靠性的应用场景,能够有效提高系统的整体性能并延长使用寿命。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE SCHOTTKY 150V 20A ITO220AB肖特基二极管与整流器 20 Amp 150 Volt Single TrenchMOS |
产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors VF20150S-E3/4WTMBS® |
数据手册 | |
产品型号 | VF20150S-E3/4WVF20150S-E3/4W |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.43V @ 20A |
不同 Vr、F时的电容 | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 250µA @ 150V |
二极管类型 | 肖特基 |
产品 | Schottky Rectifiers |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | ITO-220AB |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Vishay Semiconductors |
商标名 | TMBS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 隔离片 |
封装/箱体 | TO-220-3 FP |
峰值反向电压 | 150 V |
工作温度-结 | -55°C ~ 150°C |
工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
工厂包装数量 | 1000 |
技术 | Silicon |
最大反向漏泄电流 | 250 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大浪涌电流 | 160 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向电压下降 | 1.43 V |
正向连续电流 | 20 A |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 150V |
电流-平均整流(Io) | 20A |
速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
配置 | Single Dual Anode |