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  • 型号: VEMT2503X01
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VEMT2503X01由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VEMT2503X01价格参考。VishayVEMT2503X01封装/规格:光学传感器 - 光电晶体管, Phototransistor 850nm Top View 2-SMD, Z-Bend。您可以下载VEMT2503X01参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VEMT2503X01 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

传感器,变送器光电子产品

描述

NPN PHOTO TRANSISTOR SMD RGULLWI光电晶体管 20V 100mW 35Deg

产品分类

光学传感器 - 光电晶体管光学探测器和传感器

品牌

Vishay Semiconductor Opto DivisionVishay Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

光电晶体管,Vishay Semiconductors VEMT2503X01-

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产品型号

VEMT2503X01VEMT2503X01

产品

Phototransistors

产品种类

光电晶体管

其它名称

VEMT2503X01CT

功率-最大值

100mW

商标

Vishay Semiconductors

安装类型

表面贴装

封装

Reel

封装/外壳

2-SMD,Z形弯曲d

最大功率耗散

100 mW

最大工作温度

+ 100 C

最大暗电流

100 nA

最小工作温度

- 40 C

朝向

顶视图

标准包装

1

波长

850nm850 nm

电压-集射极击穿(最大值)

20V

电流-暗(Id)(最大值)

1nA

电流-集电极(Ic)(最大值)

50mA

类型

Silicon NPN Phototransistor

系列

VEMT

视角

70°

集电极—发射极最大电压VCEO

20 V

集电极—射极击穿电压

20 V

集电极—射极饱和电压

0.4 V

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