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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VEC2616-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VEC2616-TL-H价格参考。ON SemiconductorVEC2616-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VEC2616-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VEC2616-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N/P-CH 60V VEC8MOSFET PCH+NCH 4V DRIVE SERIES |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor VEC2616-TL-H- |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | VEC2616-TL-H |
Pd-PowerDissipation | 0.9 W |
Pd-功率耗散 | 0.9 W |
Qg-GateCharge | 10 nC |
Qg-栅极电荷 | 10 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 137 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 137 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | +/- 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
上升时间 | 7.5 ns |
下降时间 | 22 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 505pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 80 毫欧 @ 1.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-VEC |
典型关闭延迟时间 | 41 ns |
功率-最大值 | 1W |
功率耗散 | 0.9 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 137 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | VEC-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 10 nC |
标准包装 | 3,000 |
汲极/源极击穿电压 | +/- 60 V |
漏极连续电流 | 3 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A |
系列 | VEC2616 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual Complementary |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |