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  • 型号: VEC2616-TL-H
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VEC2616-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VEC2616-TL-H价格参考。ON SemiconductorVEC2616-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VEC2616-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VEC2616-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 60V VEC8MOSFET PCH+NCH 4V DRIVE SERIES

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

3 A

Id-连续漏极电流

3 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor VEC2616-TL-H-

mouser_ship_limit

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产品型号

VEC2616-TL-H

Pd-PowerDissipation

0.9 W

Pd-功率耗散

0.9 W

Qg-GateCharge

10 nC

Qg-栅极电荷

10 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

137 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

137 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

+/- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 20 V

上升时间

7.5 ns

下降时间

22 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.6V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

505pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

80 毫欧 @ 1.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-VEC

典型关闭延迟时间

41 ns

功率-最大值

1W

功率耗散

0.9 W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

137 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

封装/箱体

VEC-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

10 nC

标准包装

3,000

汲极/源极击穿电压

+/- 60 V

漏极连续电流

3 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.5A

系列

VEC2616

通道模式

Enhancement

配置

Dual Complementary

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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