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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供US6K4TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 US6K4TR价格参考¥1.67-¥4.43。ROHM SemiconductorUS6K4TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载US6K4TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有US6K4TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 1.5A |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor US6K4TR- |
数据手册 | |
产品型号 | US6K4TR |
Pd-PowerDissipation | 1 W |
Pd-功率耗散 | 1 W |
Qg-GateCharge | 1.8 nC |
Qg-栅极电荷 | 1.8 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
上升时间 | 5 ns |
下降时间 | 3 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TUMT6 |
其它名称 | US6K4CT |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 130 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | TUMT-6 |
工具箱 | /product-detail/zh/846-1001-KIT/846-1001-KIT-ND/2277302 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 1.6 S |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 1.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.5A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |