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  • 型号: US6K4TR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供US6K4TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 US6K4TR价格参考¥1.67-¥4.43。ROHM SemiconductorUS6K4TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载US6K4TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有US6K4TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 1.5A

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

1.5 A

Id-连续漏极电流

1.5 A

品牌

Rohm Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor US6K4TR-

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产品型号

US6K4TR

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

Qg-GateCharge

1.8 nC

Qg-栅极电荷

1.8 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

130 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

130 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1 V

上升时间

5 ns

下降时间

3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

110pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

180 毫欧 @ 1.5A,4.5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TUMT6

其它名称

US6K4CT

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

130 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-SMD,扁平引线

封装/箱体

TUMT-6

工具箱

/product-detail/zh/846-1001-KIT/846-1001-KIT-ND/2277302

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

1.6 S

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

1.5 A

漏源极电压(Vdss)

20V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.5A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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