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UNR511000L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供UNR511000L由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UNR511000L价格参考。Panasonic CorporationUNR511000L封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 50V 100mA 80MHz 150mW 表面贴装 S迷你型3-G1。您可以下载UNR511000L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UNR511000L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | Panasonic Electronic Components |
数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+BFA7001+UNR5110+8+WW |
产品图片 | |
产品型号 | UNR511000L |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | S迷你型3-G1 |
其它名称 | UN5110-(TX) |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
频率-跃迁 | 80MHz |