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UMZ1NT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供UMZ1NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMZ1NT1G价格参考。ON SemiconductorUMZ1NT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 200mA 114MHz, 142MHz 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载UMZ1NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UMZ1NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
UMZ1NT1G 是由 ON Semiconductor 生产的双极晶体管 (BJT) 阵列。该型号包含多个双极晶体管,广泛应用于需要多路信号放大的场合。以下是 UMZ1NT1G 的一些典型应用场景: 1. 音频放大器 UMZ1NT1G 可用于音频放大电路中,特别是多声道或立体声系统。由于其包含多个晶体管,可以同时处理多个音频通道,确保每个通道的信号都能被有效放大,从而提高音质和稳定性。 2. 电源管理 在电源管理电路中,UMZ1NT1G 可以用于电压调节、电流控制等场景。例如,在开关电源或线性稳压器中,它可以帮助实现高效的功率转换和稳定的输出电压。此外,它还可以用于过流保护电路,防止电路因过载而损坏。 3. 电机驱动 对于小型电机驱动应用,UMZ1NT1G 可以用于控制电机的速度和方向。通过适当的驱动电路设计,它可以实现对多个电机的同时控制,适用于家用电器、玩具、自动化设备等领域。 4. 信号调理 在传感器信号调理电路中,UMZ1NT1G 可以用于放大微弱的模拟信号。例如,在温度传感器、压力传感器等应用中,它可以帮助将传感器输出的微小变化转化为更易于处理的电信号,从而提高测量精度。 5. 逻辑电平转换 UMZ1NT1G 还可用于逻辑电平转换电路,特别是在不同电压系统的接口处。它可以将低电压信号转换为高电压信号,或者反之,确保信号在不同电压等级的系统之间能够正确传输。 6. 脉宽调制 (PWM) 控制 在 PWM 控制电路中,UMZ1NT1G 可以用于驱动负载,如 LED 灯、加热元件等。通过调整 PWM 信号的占空比,它可以精确控制负载的功率,实现亮度调节、温度控制等功能。 总之,UMZ1NT1G 作为一种多晶体管阵列,具有广泛的适用性,特别适合需要多路信号处理、放大或驱动的应用场景。其紧凑的设计和高性能使得它在各种电子设备中都得到了广泛应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN/PNP 50V 200MA SOT363两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor UMZ1NT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | UMZ1NT1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA / 300mV @ 10mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,6V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
其它名称 | UMZ1NT1GOSCT |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 114 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SC-70-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | NPN,PNP |
最大功率耗散 | 187 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | 2µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
系列 | UMZ1N |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.25 V |
集电极连续电流 | 0.2 A |
频率-跃迁 | 114MHz,142MHz |