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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供UMZ18NT106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMZ18NT106价格参考¥1.02-¥1.74。ROHM SemiconductorUMZ18NT106封装/规格:二极管 - 齐纳 - 阵列, Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 18V 200mW UMD3。您可以下载UMZ18NT106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UMZ18NT106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的UMZ18NT106是一款齐纳二极管阵列(TVS管阵列),主要用于电路保护和信号箝位应用。以下是其主要应用场景: 1. ESD防护 - UMZ18NT106具有低电容和快速响应的特点,非常适合用于电子设备中的静电放电(ESD)防护。 - 常见应用包括手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中接口电路的保护。 2. 信号线路保护 - 该器件可用于保护高速数据接口(如USB、HDMI、MIPI、LVDS等)免受过电压冲击。 - 它能够将瞬态电压箝位在安全范围内,确保信号完整性并保护后端芯片。 3. 电源线保护 - 在低电压电源线中,UMZ18NT106可以防止由于负载突变或外部干扰引起的电压浪涌,保护敏感电路。 4. 工业控制设备 - 适用于工业自动化设备中的传感器信号线保护,例如模拟信号输入/输出(I/O)端口。 - 可有效抑制由感应负载切换或其他干扰源引起的电压尖峰。 5. 通信模块保护 - 在无线通信模块(如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等)中,可用于射频(RF)前端电路的保护。 - 防止因天线短路或外部干扰导致的损坏。 6. 汽车电子 - 在车载信息娱乐系统、导航系统和传感器网络中,UMZ18NT106可用于保护关键信号路径免受电气噪声和瞬态电压的影响。 特点总结: - 低电容:适合高速信号线路。 - 高浪涌能力:能承受较大的瞬态电流。 - 小型化封装:节省PCB空间,适合便携式设备。 - 宽工作电压范围:适应多种应用场景。 通过以上特性,UMZ18NT106成为各种电子设备中可靠且高效的保护解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER DUAL 18V UMD3稳压二极管 DIODE DUAL CMMN ANOD 17.955V 200MA |
产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor UMZ18NT106- |
数据手册 | |
产品型号 | UMZ18NT106 |
不同If时的电压-正向(Vf) | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 13V |
产品 | Zener Diode |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | UMD3 |
其它名称 | UMZ18NT106DKR |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | - |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | UMD-3 |
工作温度 | - |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 0.1 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 18V |
配置 | Dual Common Anode |
阻抗(最大值)(Zzt) | - |
齐纳电压 | 18.35 V |
齐纳电流 | 5 mA |