【晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列_UMT1NTN】封装/厂家_UMT1NTN中文资料_价格

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型号： UMT1NTN
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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UMT1NTN产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供UMT1NTN由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMT1NTN价格参考￥1.62-￥1.78。ROHM SemiconductorUMT1NTN封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 140MHz 150mW Surface Mount UMT6。您可以下载UMT1NTN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有UMT1NTN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS DUAL PNP 50V 150MA 6UMT两极晶体管 - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-363
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体
品牌	Rohm Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor UMT1NTN-
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产品型号	UMT1NTN
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	500mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	120 @ 1mA，6V
产品目录绘图
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	UMT6
其它名称	UMT1NTNCT
功率-最大值	150mW
包装	剪切带（CT）
发射极-基极电压VEBO	- 6 V
商标	ROHM Semiconductor
增益带宽产品fT	140 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装/箱体	UM-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	2 PNP（双）
最大功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.15 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	150mA
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	560
直流集电极/BaseGainhfeMin	120
配置	Dual
集电极—发射极最大电压VCEO	- 50 V
集电极—基极电压VCBO	- 60 V
集电极连续电流	- 150 mA
频率-跃迁	140MHz