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UMH3NTN产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供UMH3NTN由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMH3NTN价格参考¥0.67-¥1.31。ROHM SemiconductorUMH3NTN封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6。您可以下载UMH3NTN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UMH3NTN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的UMH3NTN是一款双极晶体管(BJT)阵列,属于预偏置类型。这种器件适用于多种电子电路设计场景,以下是一些典型的应用领域和使用案例: 1. 音频信号放大 - UMH3NTN可用于音频设备中的小信号放大,例如耳机放大器、麦克风前置放大器等。 - 预偏置特性使得该晶体管在音频信号处理中能够提供稳定的增益和较低的失真。 2. 开关电路 - 在需要快速开关响应的电路中,如继电器驱动、小型电机控制或LED驱动,UMH3NTN可以作为开关元件。 - 其低饱和电压和高电流增益有助于提高效率并减少功耗。 3. 传感器信号调理 - 在工业自动化或消费电子领域,传感器输出的微弱信号需要被放大和处理。UMH3NTN可以用于构建运算放大器或差分放大器来处理这些信号。 - 预偏置设计确保了在宽温度范围内的稳定工作性能。 4. 电源管理 - 该晶体管可应用于线性稳压器中的误差放大器或电流检测电路,以实现精确的电压调节。 - 它还可以用于电池充电电路中的电流控制部分,确保充电过程的安全性和效率。 5. 通信设备 - 在低频通信系统中,UMH3NTN可以用作调制解调器中的信号放大器或混频器组件。 - 其紧凑的封装形式适合于便携式通信设备的设计。 6. 测试与测量仪器 - 在示波器、万用表等测试设备中,UMH3NTN可用于信号采集和放大部分,保证测量结果的准确性和可靠性。 特点总结: - 高增益:适合需要高放大倍数的应用。 - 低噪声:适用于对信号质量要求较高的场合。 - 预偏置设计:简化了电路设计,减少了外部元件的数量。 - 可靠性强:能够在恶劣环境下保持稳定运行。 总之,UMH3NTN凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及测试测量等领域。具体应用时需根据实际需求选择合适的外围电路配置。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN UMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NPN 50V 100MA SOT-363 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor UMH3NTN- |
数据手册 | |
产品型号 | UMH3NTN |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | UMT6 |
其它名称 | UMH3NTNCT |
典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
功率-最大值 | 150mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | UMT-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 100 mA |
频率-跃迁 | 250MHz |