ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > UMD3NTR
Datasheet下载- 型号： UMD3NTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供UMD3NTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMD3NTR价格参考￥1.60-￥2.31。ROHM SemiconductorUMD3NTR封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6。您可以下载UMD3NTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有UMD3NTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的UMD3NTR是一款双极晶体管（BJT）阵列，具有预偏置功能。这种器件通常用于需要多个晶体管协同工作的电路中，尤其适用于信号放大、开关控制和功率管理等应用场景。 1. 信号放大 UMD3NTR中的每个晶体管可以作为放大器使用，能够放大微弱的输入信号。由于它是预偏置的，用户无需额外设计复杂的偏置电路，简化了设计过程。在音频设备、传感器信号调理电路中，UMD3NTR可以提供稳定的增益，确保信号不失真地传递到后续处理单元。 2. 开关控制 在需要多个开关的应用中，UMD3NTR可以通过其内部的多个晶体管实现多通道开关控制。例如，在LED驱动、继电器控制或电机驱动等应用中，UMD3NTR可以作为开关元件，控制电流的通断。预偏置特性使得这些晶体管能够在特定的工作点上稳定工作，确保开关操作的可靠性和快速响应。 3. 功率管理 在一些低功耗系统中，UMD3NTR可以用于电源管理模块，如电池管理系统（BMS）。它可以在不同的负载条件下调节电流，确保系统的稳定运行。预偏置功能有助于提高能效，减少不必要的能量损耗，延长电池寿命。 4. 工业自动化 在工业控制系统中，UMD3NTR可以用于驱动执行器、传感器和其他外围设备。由于其高可靠性和预偏置特性，它能够在恶劣环境下保持稳定的性能，适应工业环境中的温度变化、电磁干扰等问题。 5. 消费电子 在消费电子产品中，UMD3NTR可以用于遥控器、智能家居设备等产品的信号传输和控制部分。它的小型化封装使其适合应用于空间有限的便携式设备中，同时预偏置特性减少了外部元件的数量，降低了整体成本。 总之，UMD3NTR凭借其预偏置特性和多晶体管阵列结构，广泛应用于需要多通道信号处理、开关控制和功率管理的场景中，特别适合对可靠性、效率和小型化有较高要求的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP UMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN/PNP 50V 50MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor UMD3NTR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | UMD3NTR |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | UMT6 |
| 其它名称 | UMD3NDKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | UM-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Dual |
| 集电极连续电流 | 50 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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