ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > UMD22NTR
Datasheet下载- 型号： UMD22NTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供UMD22NTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMD22NTR价格参考￥0.66-￥1.36。ROHM SemiconductorUMD22NTR封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6。您可以下载UMD22NTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有UMD22NTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的UMD22NTR是一款双极晶体管（BJT）阵列，具有预偏置特性。该器件主要用于需要多个匹配的晶体管的应用场景中，特别适用于模拟电路设计和信号处理领域。 应用场景： 1. 音频放大器： UMD22NTR可以用于音频放大器的设计中，特别是在多级放大电路中。由于其预偏置特性，能够确保每个晶体管在工作时保持稳定的偏置点，从而提高放大器的线性度和稳定性。此外，多个匹配的晶体管可以用于推挽输出级，以提供更高的输出功率和效率。 2. 传感器信号调理： 在传感器信号调理电路中，UMD22NTR可以用于前置放大器或差分放大器。预偏置特性有助于减少温度漂移和其他非理想因素的影响，从而提高信号的精度和可靠性。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，UMD22NTR可以帮助放大微弱的传感器信号，并将其转换为适合后续处理的电平。 3. 电源管理电路： 该器件还可以用于电源管理电路中的电压调节器或电流源。通过使用预偏置的晶体管阵列，可以实现更精确的电流控制和电压调节，从而提高电源系统的稳定性和效率。例如，在线性稳压器中，UMD22NTR可以用作误差放大器或驱动晶体管，确保输出电压的稳定性。 4. 通信设备： 在通信设备中，UMD22NTR可以用于射频（RF）前端电路中的低噪声放大器（LNA）。预偏置特性有助于降低噪声系数，提高信噪比，从而改善通信质量。此外，多个匹配的晶体管可以用于平衡-不平衡转换器（Balun）或其他RF电路中，以提高信号的完整性和传输效率。 5. 工业自动化： 在工业自动化系统中，UMD22NTR可以用于电机驱动器、伺服控制系统等场合。预偏置特性有助于提高驱动器的响应速度和精度，同时多个匹配的晶体管可以用于实现复杂的控制算法，如PID控制等。 总之，UMD22NTR凭借其预偏置特性和多个匹配的晶体管，广泛应用于需要高精度、高稳定性和高效能的电子电路中，特别是在模拟信号处理和电源管理等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP UMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL DIGITAL SMT PNP/NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor UMD22NTR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | UMD22NTR |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | UMT6 |
| 其它名称 | UMD22NTRCT |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | UM-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 配置 | Dual |
| 集电极连续电流 | + 100 mA, - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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