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  • 型号: UM5K1NTR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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UM5K1NTR产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供UM5K1NTR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UM5K1NTR价格参考。ROHM SemiconductorUM5K1NTR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 N 沟道(双)共源 Mosfet 阵列 30V 100mA 150mW 表面贴装 UMT5。您可以下载UM5K1NTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UM5K1NTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 N 沟道(双)共源

Id-ContinuousDrainCurrent

100 mA

Id-连续漏极电流

100 mA

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor UM5K1NTR-

数据手册

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产品型号

UM5K1NTR

Pd-PowerDissipation

150 mW

Pd-功率耗散

150 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

8000 mOhms at 4 V

RdsOn-漏源导通电阻

8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

35 ns

下降时间

35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13pF @ 5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 欧姆 @ 10mA,4V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

UMT5

其它名称

UM5K1NDKR

典型关闭延迟时间

80 ns

功率-最大值

150mW

包装

带卷 (TR)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

8000 mOhms at 4 V

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353

封装/箱体

UMT-5

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

3,000

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

100 mA

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100mA

通道模式

Enhancement

配置

Dual Common Source

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