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  • 型号: ULN2803APG,CN
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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ULN2803APG,CN产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ULN2803APG,CN由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ULN2803APG,CN价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.ULN2803APG,CN封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.47W Through Hole 18-DIP。您可以下载ULN2803APG,CN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ULN2803APG,CN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS 8 NPN DARL 50V 500MA 18DIP

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

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产品图片

产品型号

ULN2803APG,CN

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.6V @ 500µA, 350mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

1000 @ 350mA,2V

供应商器件封装

18-DIP

其它名称

ULN2803APG
ULN2803APG(5,M)
ULN2803APG(CNHZN)
ULN2803APG(CNHZN)-ND
ULN2803APG(O,M)
ULN2803APG(O,N,HZA
ULN2803APG(O,N,HZN
ULN2803APG(OM)
ULN2803APG(OM)-ND
ULN2803APG(ONHZA
ULN2803APG(ONHZA-ND
ULN2803APG(ONHZN
ULN2803APG(ONHZN-ND
ULN2803APG-ND
ULN2803APGCN
ULN2803APGONHZN

功率-最大值

1.47W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

18-DIP(0.300",7.62mm)

晶体管类型

8 NPN 达林顿

标准包装

800

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

-

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