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详细数据请看参考数据手册
- 型号： ULN2003APG(C,N,HZA
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ULN2003APG(C,N,HZA由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ULN2003APG(C,N,HZA价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.ULN2003APG(C,N,HZA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ULN2003APG(C,N,HZA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ULN2003APG(C,N,HZA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS 7 NPN DARL 50V 500MA 16DIP达林顿晶体管 7-Circuit 2.7kOhm 500mA 50V VCE 1K HFE |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=ULN2003APG |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,Toshiba ULN2003APG(C,N,HZA- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=ULN2003APG |
| 产品型号 | ULN2003APG(C,N,HZAULN2003APG(C,N,HZA |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.6V @ 500µA， 350mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 350mA，2V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | 16-DIP |
| 其它名称 | ULN2003APG(CNHZA |
| 功率-最大值 | 1.47W |
| 功率耗散 | 1.47 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 16-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | DIP-16 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 1000 |
| 输出类型 | TTL, CMOS |
| 配置 | Array |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1.6 V |
| 频率-跃迁 | - |
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