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  • 型号: ULN2003AIDR
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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ULN2003AIDR产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ULN2003AIDR由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ULN2003AIDR价格参考¥1.07-¥1.43。Texas InstrumentsULN2003AIDR封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC。您可以下载ULN2003AIDR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ULN2003AIDR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS 7 NPN DARL 50V 500MA 16SO达林顿晶体管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

Texas Instruments

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,Texas Instruments ULN2003AIDR-

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产品型号

ULN2003AIDR

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.6V @ 500µA, 350mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

-

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产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

16-SOIC

其它名称

296-15407-1

功率-最大值

-

包装

剪切带 (CT)

单位重量

141.700 mg

商标

Texas Instruments

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-16

工厂包装数量

2500

晶体管极性

NPN

晶体管类型

7 NPN 达林顿

最大工作温度

+ 105 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最小工作温度

- 40 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

系列

ULN2003AI

配置

Array 7

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

频率-跃迁

-

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