ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > ULN2003AFWG,O,N,E
Datasheet下载- 型号： ULN2003AFWG,O,N,E
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ULN2003AFWG,O,N,E由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ULN2003AFWG,O,N,E价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.ULN2003AFWG,O,N,E封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 1.25W 16-SOL。您可以下载ULN2003AFWG,O,N,E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ULN2003AFWG,O,N,E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS 7 NPN DARL 50V 500MA 16SOL |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ULN2003AFWG,O,N,E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.6V @ 500µA， 350mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 350mA，2V |
| 供应商器件封装 | 16-SOL |
| 其它名称 | ULN2003AFWG(O,NEHZCT |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | - |
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