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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供UDZSTE-175.6B由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UDZSTE-175.6B价格参考¥0.44-¥0.91。ROHM SemiconductorUDZSTE-175.6B封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 5.6V 200mW ±2% Surface Mount UMD2。您可以下载UDZSTE-175.6B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UDZSTE-175.6B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的UDZSTE-175.6B是一款单齐纳二极管,其主要应用场景包括: 1. 电压稳压 UDZSTE-175.6B常用于需要稳定电压的电路中。齐纳二极管能够在反向击穿区工作时保持恒定的电压输出,适用于电源稳压、参考电压生成等场合。例如,在电源电路中,它可以确保输出电压在负载变化时保持稳定,防止电压波动对后续电路造成影响。 2. 过压保护 在一些敏感电子设备中,如传感器、微控制器等,过高的电压可能会导致损坏。UDZSTE-175.6B可以通过钳位作用将电压限制在安全范围内,防止过压情况的发生。它能够快速响应瞬态电压尖峰,保护电路中的其他元件免受损害。 3. 信号电平转换 在通信和信号处理电路中,UDZSTE-175.6B可以用于信号电平的转换或调整。例如,在模拟信号传输中,可能需要将信号电平限制在特定范围内,以确保信号的完整性。齐纳二极管可以通过钳位作用将信号电平控制在预定范围内,避免信号失真或超出接收端的处理能力。 4. 温度补偿 齐纳二极管的击穿电压会随着温度的变化而变化。UDZSTE-175.6B可以在某些精密电路中用于温度补偿,确保电路在不同温度环境下仍能保持稳定的性能。通过与温度系数相反的元件配合使用,可以抵消温度对电路的影响。 5. 电源监控 在电源监控电路中,UDZSTE-175.6B可以用作电压检测元件。当电源电压低于或高于设定值时,齐纳二极管会触发相应的保护机制,如关闭电源或发出警报。这种应用常见于电池管理系统、不间断电源(UPS)等设备中。 6. 浪涌吸收 在电力系统或工业控制中,可能会遇到电压浪涌的情况。UDZSTE-175.6B可以通过吸收瞬时高电压来保护电路中的其他元件。它能够在短时间内承受较大的电流冲击,并迅速恢复正常工作状态。 总之,UDZSTE-175.6B凭借其稳定的击穿电压特性,广泛应用于各种需要电压稳压、过压保护、信号处理和温度补偿的场景中,确保电路的安全性和稳定性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2稳压二极管 5.6V 200MW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor UDZSTE-175.6B- |
数据手册 | |
产品型号 | UDZSTE-175.6B |
不同If时的电压-正向(Vf) | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 2.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | UMD2 |
其它名称 | UDZSTE-175.6BTR |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±2% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-90,SOD-323F |
封装/箱体 | SOD-323F |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 1 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 60 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.6V |
电压容差 | 2 % |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 60 欧姆 |
齐纳电压 | 5.61 V |
齐纳电流 | 5 mA |