Datasheet下载- 型号： TPS1120DR
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPS1120DR由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPS1120DR价格参考。Texas InstrumentsTPS1120DR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPS1120DR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPS1120DR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOICMOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.17 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.17 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments TPS1120DR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TPS1120DR |
| Pd-PowerDissipation | 840 mW |
| Pd-功率耗散 | 840 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 15 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 15 V, 2 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 15 V, 2 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | 296-1352-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=TPS1120DR |
| 功率-最大值 | 840mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 76 mg |
| 商标 | Texas Instruments |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 15V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.17A |
| 系列 | TPS1120 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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