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Datasheet下载- 型号： TPS1100DR
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPS1100DR由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPS1100DR价格参考。Texas InstrumentsTPS1100DR封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 15V 1.6A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC。您可以下载TPS1100DR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPS1100DR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Texas Instruments（德州仪器）的TPS1100DR是一款单通道MOSFET驱动器，主要应用于需要高效、低功耗和高可靠性的电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 TPS1100DR常用于电源管理系统中，特别是在需要快速开关和低静态电流的应用场景。它能够有效地驱动外部MOSFET，确保电源转换效率最大化。例如，在DC-DC转换器、线性稳压器等电路中，TPS1100DR可以控制MOSFET的导通和关断，从而实现高效的电压调节。 2. 负载开关 在许多电子设备中，负载开关用于控制不同模块或组件的供电状态。TPS1100DR可以用作负载开关的驱动器，通过控制MOSFET的开关状态来实现对负载的精确控制。这种应用常见于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，以延长电池寿命并提高系统的可靠性。 3. 电机控制 对于小型电机控制系统，TPS1100DR可以用来驱动MOSFET，从而实现对电机的精确控制。它能够提供足够的栅极驱动电流，确保MOSFET快速切换，减少能耗并提高系统响应速度。这类应用广泛存在于消费电子、工业自动化等领域。 4. 信号隔离 在某些情况下，TPS1100DR还可以用于信号隔离电路中。通过驱动隔离MOSFET，它可以实现高低电压域之间的电气隔离，防止噪声干扰和电平不匹配问题。这在通信设备、医疗仪器等对安全性要求较高的场合尤为重要。 5. 保护电路 TPS1100DR具有内置的过流保护功能，可以在检测到异常电流时迅速关闭MOSFET，避免损坏其他电路元件。因此，它也适用于各种保护电路中，如过流保护、短路保护等，确保系统的稳定运行。 总之，TPS1100DR凭借其高效、低功耗和可靠的特性，广泛应用于电源管理、负载控制、电机驱动、信号隔离以及保护电路等多种场景，特别适合对性能和可靠性有较高要求的电子产品设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TPS1100DR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | TPS1100DRG4 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=TPS1100DR |
| 功率-最大值 | 791mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 15V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Ta） |
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