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  • 型号: TPS1100DG4
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TPS1100DG4由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPS1100DG4价格参考。Texas InstrumentsTPS1100DG4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPS1100DG4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPS1100DG4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Texas Instruments

数据手册

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产品图片

产品型号

TPS1100DG4

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.45nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

180 毫欧 @ 1.5A,10V

供应商器件封装

8-SOIC

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=TPS1100DG4

功率-最大值

791mW

包装

管件

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

75

漏源极电压(Vdss)

15V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.6A (Ta)

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