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Datasheet下载- 型号： TPN2R203NC,L1Q
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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TPN2R203NC,L1Q产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPN2R203NC,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPN2R203NC,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPN2R203NC,L1Q封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 45A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）。您可以下载TPN2R203NC,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPN2R203NC,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN2R203NC |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TPN2R203NC,L1Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 500µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2230pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 毫欧 @ 22.5A， 10V |
| 供应商器件封装 | 8-TSON高级 |
| 其它名称 | TPN2R203NC,L1QCT |
| 功率-最大值 | 42W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 45A （Tc） |
