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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TPN11003NL,LQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPN11003NL,LQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPN11003NL,LQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPN11003NL,LQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPN11003NL,LQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Ciss-输入电容 | 510 pF |
描述 | MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADVMOSFET N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 31 A |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TPN11003NL,LQ- |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN11003NL |
产品型号 | TPN11003NL,LQTPN11003NL,LQ |
Pd-PowerDissipation | 19 W |
Pd-功率耗散 | 19 W |
Qg-GateCharge | 7.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 7.5 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 12.6 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.3 V |
上升时间 | 2.1 ns |
下降时间 | 1.9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 5.5A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-TSON高级 |
其它名称 | TPN11003NLLQCT |
典型关闭延迟时间 | 14 ns |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Toshiba |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 12.6 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
封装/箱体 | TSON-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 31 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain |