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  • 型号: TPH8R80ANH,L1Q
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TPH8R80ANH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPH8R80ANH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPH8R80ANH,L1Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPH8R80ANH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPH8R80ANH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

Ciss-输入电容

2180 pF

描述

MOSFET N CH 100V 32A 8-SOPMOSFET N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

59 A

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH8R80ANH

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba TPH8R80ANH,L1Q-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH8R80ANH

产品型号

TPH8R80ANH,L1QTPH8R80ANH,L1Q

Pd-PowerDissipation

61 W

Pd-功率耗散

61 W

Qg-GateCharge

33 nC

Qg-栅极电荷

33 nC

RdsOn-漏源导通电阻

7.4 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2 V to 4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2 V to 4 V

上升时间

7 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 500µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2800pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

33nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.8 毫欧 @ 16A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOP 高级

其它名称

TPH8R80ANHL1QDKR

典型关闭延迟时间

33 ns

功率-最大值

61W

包装

Digi-Reel®

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

7.4 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

SOP-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

59 A

漏源极电压(Vdss)

100V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

32A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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