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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Ciss-输入电容 | 2180 pF |
描述 | MOSFET N CH 100V 32A 8-SOPMOSFET N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 59 A |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH8R80ANH |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TPH8R80ANH,L1Q- |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH8R80ANH |
产品型号 | TPH8R80ANH,L1QTPH8R80ANH,L1Q |
Pd-PowerDissipation | 61 W |
Pd-功率耗散 | 61 W |
Qg-GateCharge | 33 nC |
Qg-栅极电荷 | 33 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.4 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
上升时间 | 7 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 500µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.8 毫欧 @ 16A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
其它名称 | TPH8R80ANHL1QDKR |
典型关闭延迟时间 | 33 ns |
功率-最大值 | 61W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Toshiba |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 7.4 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
封装/箱体 | SOP-8 |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 59 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |