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  • 型号: TPH6R003NL,LQ
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TPH6R003NL,LQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPH6R003NL,LQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPH6R003NL,LQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPH6R003NL,LQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPH6R003NL,LQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

Ciss-输入电容

1050 pF

描述

MOSFET N CH 30V 38A 8SOPMOSFET N-Ch DTMOS VII-H 34W 1050pF 57A 30V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

57 A

Id-连续漏极电流

57 A

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba TPH6R003NL,LQ-

mouser_ship_limit

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数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH6R003NL

产品型号

TPH6R003NL,LQTPH6R003NL,LQ

Pd-PowerDissipation

34 W

Pd-功率耗散

34 W

Qg-GateCharge

17 nC

Qg-栅极电荷

17 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.3 V

上升时间

4.1 ns

下降时间

3.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 200µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1400pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6 毫欧 @ 19A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOP 高级

其它名称

TPH6R003NLLQTR

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

1.6W

包装

带卷 (TR)

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

6.8 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

SOP-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

57 A

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

38A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

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