ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > TPH4R50ANH,L1Q
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
TPH4R50ANH,L1Q产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TPH4R50ANH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPH4R50ANH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPH4R50ANH,L1Q封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 1.6W(Ta),78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)。您可以下载TPH4R50ANH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPH4R50ANH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPH4R50ANH,L1Q 是 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于 FET 类别。这款 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电力电子应用。 应用场景: 1. 电源管理: - TPH4R50ANH,L1Q 可用于高效能的 DC-DC 转换器中,作为同步整流器或功率级开关。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高转换效率。 - 在电源适配器、充电器等设备中,该 MOSFET 可以实现高效的电压调节,确保输出稳定且节能。 2. 电机驱动: - 该 MOSFET 适合用于小型电机驱动电路,如步进电机、无刷直流电机(BLDC)等。其快速开关特性能够精确控制电机的速度和方向,同时降低能耗。 - 在智能家居设备、机器人、电动工具等领域,TPH4R50ANH,L1Q 可以提供可靠的电机驱动解决方案。 3. 电池管理系统 (BMS): - 在电池管理系统中,MOSFET 用于充放电控制和保护电路。TPH4R50ANH,L1Q 的低导通电阻可以减少电池内部发热,延长电池寿命。 - 它还可以用于过流保护、短路保护等功能,确保电池组的安全运行。 4. 负载开关: - 该 MOSFET 可作为负载开关使用,控制电路中的电流流动。它能够在需要时迅速切断电源,防止过载或其他异常情况对下游电路造成损害。 - 在消费电子产品、工业控制系统中,TPH4R50ANH,L1Q 提供了高效且可靠的负载开关功能。 5. 通信设备: - 在基站、路由器等通信设备中,MOSFET 用于电源管理和信号处理。TPH4R50ANH,L1Q 的快速开关特性和低损耗特性使其成为这些应用的理想选择。 6. 汽车电子: - 在汽车电子系统中,如车载充电器、LED 照明、车身控制模块等,TPH4R50ANH,L1Q 可以提供稳定的电源管理和高效的开关控制。 总之,TPH4R50ANH,L1Q 凭借其优异的性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效能、低损耗和快速响应的应用场景中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH4R50ANH |
产品图片 | |
产品型号 | TPH4R50ANH,L1Q |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5200pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 58nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.5 毫欧 @ 30A,10V |
供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
其它名称 | TPH4R50ANHL1QCT |
功率-最大值 | 78W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |