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  • 型号: TPH3R203NL,L1Q
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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TPH3R203NL,L1Q产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TPH3R203NL,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPH3R203NL,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPH3R203NL,L1Q封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 47A(Tc) 1.6W(Ta),44W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)。您可以下载TPH3R203NL,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPH3R203NL,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH3R203NL

产品图片

产品型号

TPH3R203NL,L1Q

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 300µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2100pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

21nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.2 毫欧 @ 23.5A, 10V

供应商器件封装

8-SOP 高级

其它名称

TPH3R203NL,L1QTR
TPH3R203NL,L1QTR-ND
TPH3R203NLL1QTR

功率-最大值

44W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-PowerVDFN

标准包装

5,000

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

47A (Tc)

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