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型号： TPH1400ANH,L1Q
制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供TPH1400ANH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPH1400ANH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPH1400ANH,L1Q封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 100V 24A（Tc） 1.6W（Ta），48W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）。您可以下载TPH1400ANH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPH1400ANH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

TPH1400ANH,L1Q 是 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理和信号切换的应用场景。

 应用场景：

1. 电源管理：
   - 直流-直流转换器：该 MOSFET 可用于高效降压或升压 DC-DC 转换器中，作为主开关元件。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率。
   - 负载开关：在需要快速响应和低功耗的负载开关应用中，TPH1400ANH,L1Q 可以提供稳定的电流控制和快速的开关特性，确保系统的稳定性和可靠性。

2. 电机驱动：
   - 无刷直流电机（BLDC）驱动：MOSFET 在 BLDC 电机驱动电路中起着关键作用，负责电流的通断和方向控制。TPH1400ANH,L1Q 的低导通电阻和快速开关特性使其适合用于高效、紧凑的电机驱动系统。
   - 步进电机驱动：在步进电机驱动电路中，MOSFET 用于控制电机线圈的电流流动，实现精确的位置控制和速度调节。

3. 消费电子设备：
   - 笔记本电脑和智能手机充电器：MOSFET 在充电器中用于电压调节和过流保护，确保充电过程的安全性和稳定性。
   - 音频放大器：在 D 类音频放大器中，MOSFET 作为开关元件，用于高效地将数字信号转换为模拟信号，同时保持低噪声和高保真度。

4. 工业自动化：
   - 可编程逻辑控制器（PLC）：MOSFET 用于 PLC 中的输入输出接口，实现对传感器、执行器等外部设备的控制。
   - 机器人控制系统：在机器人控制系统中，MOSFET 用于驱动伺服电机和其他执行机构，确保动作的精确性和响应速度。

5. 汽车电子：
   - 车载电源管理系统：MOSFET 在汽车电源管理系统中用于电池管理和配电，确保各个子系统的稳定供电。
   - 电动助力转向系统（EPS）：MOSFET 用于 EPS 系统中的电机驱动，提供高效的扭矩辅助，提升驾驶体验。

总之，TPH1400ANH,L1Q 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电源管理和信号切换场合，特别是在对效率和响应速度有较高要求的领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
Ciss-输入电容	1440 pF
描述	MOSFET N CH 100V 24A 8-SOPMOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	42 A
品牌	ToshibaToshiba Semiconductor and Storage
产品手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH1400ANH
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Toshiba TPH1400ANH,L1Q-
数据手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH1400ANH
产品型号	TPH1400ANH,L1QTPH1400ANH,L1Q
Pd-PowerDissipation	48 W
Pd-功率耗散	48 W
Qg-GateCharge	22 nC
Qg-栅极电荷	22 nC
RdsOn-漏源导通电阻	11.3 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2 V to 4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2 V to 4 V
上升时间	5.6 ns
下降时间	6.5 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 300µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1900pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	22nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	13.6 毫欧 @ 12A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SOP 高级
其它名称	TPH1400ANHL1QDKR
典型关闭延迟时间	22 ns
功率-最大值	48W
包装	Digi-Reel®
商标	Toshiba
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	11.3 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-PowerVDFN
封装/箱体	SOP-8
工厂包装数量	5000
晶体管极性	N-Channel
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	42 A
漏源极电压(Vdss)	100V
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	24A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single