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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TPH1400ANH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPH1400ANH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPH1400ANH,L1Q封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 24A(Tc) 1.6W(Ta),48W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)。您可以下载TPH1400ANH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPH1400ANH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Ciss-输入电容 | 1440 pF |
描述 | MOSFET N CH 100V 24A 8-SOPMOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 42 A |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH1400ANH |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TPH1400ANH,L1Q- |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH1400ANH |
产品型号 | TPH1400ANH,L1QTPH1400ANH,L1Q |
Pd-PowerDissipation | 48 W |
Pd-功率耗散 | 48 W |
Qg-GateCharge | 22 nC |
Qg-栅极电荷 | 22 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 11.3 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
上升时间 | 5.6 ns |
下降时间 | 6.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 300µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13.6 毫欧 @ 12A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
其它名称 | TPH1400ANHL1QDKR |
典型关闭延迟时间 | 22 ns |
功率-最大值 | 48W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Toshiba |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 11.3 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
封装/箱体 | SOP-8 |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 42 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 24A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |